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                                      产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!

                                      源漏极间雪崩电压VBR(V):-40
                                      源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.5
                                      最大漏极电流Id(on)(A):-50
                                      通道极性:P沟道
                                      封装/温度(℃):TO-252-3/-55~175
                                      描述:11.5mΩ,-40V,-50A,P沟道功率MOSFET
                                      温馨提示

                                      请稍候...
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